6月19日開催｜東レの分析技術ポスターセッション

分析技術の“現場の声”を直接得る場として設計された一日

2026年6月19日（金）、株式会社東レリサーチセンターが主催する「半導体・電子材料ポスターセッション2026」が東京都大田区産業プラザ（PiO）大ホールにて開催されます。発表元のプレスリリースは2026年4月17日14時00分付で、同センターが半導体・電子材料分野の研究者と実務者を結びつけるために企画したイベントです。

本イベントは、半導体デバイス・装置・材料メーカーの担当者を主な対象に、最新の分析技術と応用事例を研究者と直接対話しながら学べる構成になっています。65件のポスター展示と複数の技術講演、ポスター前でのフリーディスカッションを通じて、開発・量産・信頼性評価に直結する実践的な知見を提供することが目的です。

イベントの目的と対象

本セッションの狙いは、実務で直面する「どの分析で、どこまで分かるのか」「開発・量産・信頼性で次に何を見るべきか」といった課題に、その場でヒントを与えることです。研究者との対話を通じて、個別の検討事項や評価手法の適用可能性について具体的に議論できます。

対象は半導体・電子材料開発、プロセス、評価・解析に携わる担当者ですが、同業他社関係者の参加はご遠慮いただいています。参加は無料ですが、事前登録制となっている点に留意が必要です。

講演プログラム：解析手法と応用事例の要点

当日の技術講演では、酸化物半導体、光電融合、先端パッケージ領域、AFM-IR応用など、実装とデバイス特性に直結するテーマが並びます。各講演は、評価対象、用いた分析手法、得られた知見やその解釈、今後の応用示唆を含めて報告されます。

以下は講演タイトルと要旨の概要です。各講演は、実務上の課題解決に結びつく具体的な解析事例を示す構成になっています。

• 酸化物半導体を有する積層薄膜の深さ方向膜質評価
  説明：IGO/HfO₂/TiN積層膜を対象に、深さ方向における構造および化学状態の変化を評価した事例を紹介。極薄積層構造でのアニール処理に伴う膜質変化や界面反応がデバイス特性に与える影響を検討します。
• 光電融合の社会実装を支える評価技術
  説明：データセンターの電力消費抑制に向け、低消費電力・高速伝送を目指す光電融合技術の評価事例を報告。通信機能を担う光半導体デバイスや光導波路の分析評価を扱います。
• 先端パッケージ分野における接合技術の課題解決
  説明：接合界面の信頼性低下が課題となる先端パッケージ分野において、材料・プロセスや接合技術の最適化に資する接合界面の直接評価や接合強度の事例を紹介します。
• AFM-IRによるCu/Low-k配線の局所構造解析
  説明：AFM-IRは約30 nmの高い空間分解能で化学構造解析が可能です。本講演では半導体無機材料への適用事例として、Cu/Low-k配線におけるLow-k材料の局所構造解析を取り上げます。

講演から期待される実務的示唆

各講演は単なる手法紹介に留まらず、評価結果が設計やプロセス、信頼性評価にどう結びつくかを明示します。これにより、現場で次に行うべき分析手順や試料準備、解析条件の選択について具体的な判断材料を得られます。

研究者とのフリーディスカッション時間を通して、発表に関連する装置要件やサンプル前処理、測定条件の最適化など、実務上の課題について個別相談が可能です。

65件のポスター展示：カテゴリごとの詳細な技術メニュー

ポスター展示は全65件を予定し、半導体・電子材料関連の幅広い評価領域を網羅します。展示内容は変更される可能性がありますが、公開されている展示項目は以下の通りです。各カテゴリは具体的な手法や応用対象を明示しており、個別の事例紹介が多く含まれます。

以下に示す11のカテゴリ別に、展示内容を詳細に列挙します。

1. 電子状態・欠陥・光学特性評価（デバイス性能の源泉）
   • ESR分析による種々の絶縁膜および界面の欠陥量評価
   • ESR法によるゲート絶縁膜/Si界面近傍の詳細欠陥量評価
   • 分光学的手法によるイオン注入SiCの結晶ダメージ評価
   • 冷却条件下における近赤外PLイメージングを用いたSiGe膜の発光評価
   • 広帯域の光学特性評価（DUV～THz）
   • UPSとIPESによる電子状態解析
   • 低ダメージSTEM-EELSによるカラーフィルターの局所光学特性評価
   • STEM、CL、DLTSによるGaN-HEMTの構造および欠陥の多角的解析
2. 薄膜・界面構造解析（成膜・プロセス評価）
   • ALD-SiN膜の界面構造解析（FT-IR）
   • 高温in situ XRDを用いた結晶構造解析
   • AFM-IRを用いた半導体無機材料の構造解析（Cu/Low-kの局所解析）
   • 試料冷却下でのGCIB-TOF-SIMSを用いたペロブスカイト太陽電池の深さ方向分析
   • 酸化物半導体を有する積層薄膜の深さ方向膜質評価
   • SiOC薄膜の電気特性と組成・結合状態・空孔評価
3. 微細構造・3D観察・in situ解析（“見ながら測る”）
   • 加熱・ガス流通in-situ XAFSを用いたNiシリサイド形成過程の化学状態評価
   • トレンチ側壁評価技術
   • （新規）GAAのSTEM評価
   • プラズマFIBによるOLEDディスプレイTFT部の3D-SEM-EDX解析
   • 加熱in-situ TEMを用いた接合試料の原子再配列挙動の可視化
   • ハイエンドS/TEM装置を駆使した量子ドットの微細構造評価
   • SEM内 in-situ 引張試験によるはんだ／Cu接合部の破断挙動の可視化
   • ペロブスカイト太陽電池断面の高精度SEM観察
4. 元素・不純物・トレース分析（ppm～ppbを捉える）
   • 酸化ガリウム（Ga2O3）における大気成分元素の高感度SIMS分析
   • SiC MOSFET トレンチ近傍のNanoSIMS分析
   • SIMSおよびGD-MSを用いたSiCの全元素バルク分析
   • NRA(N)による微量N定量技術
   • 親水性材料表面の特定領域における金属不純物定量分析（ICP-MS）
   • fsLA-ICP-MSによるSiC基板中金属不純物分析
   • ガルバノ光学系搭載 fsLA-ICP-MSの分析メニュー
   • spICP-MSによるレジスト中の金属微粒子分析
   • 酸化ガリウムのイオン注入プロセス評価における各種分析事例紹介
5. プロセス材料・薬液・レジスト・環境分析（製造を支える材料・薬液評価）
   • EUVリソグラフィー用化学増幅型レジスト中のポリマーバウンド光酸発生剤の構造解析
   • 導電性接着剤の有機組成分析
   • Nano-ESI-Orbitrap MSによるEUVレジスト用有機金属化合物の構造評価
   • めっき液中の不安定な金属錯体の分析
   • めっき液・スラリー中の錯化剤分析
   • PFAS評価（純度分析、不純物定性分析）
6. デバイス・パッケージ・信頼性評価（実装・使用環境を見据えて）
   • 300mmウェハ対応水銀プローブ測定装置による高精度比誘電率分布評価
   • ナノプロービングシステムを用いたAu-Al金属間化合物の電気特性評価
   • ハイブリッド接合プロセスの最適化（ウエハ接合試料の界面分析）
   • 半導体パッケージ信頼性試験後のAlワイヤ不良箇所特定と界面構造解析
7. 表面・界面・濡れ性・接着評価（“くっつく・はがれる”の科学）
   • 狭小部、曲面部の表面自由エネルギー測定
   • 接着メカニズムの解析
   • 分子動力学シミュレーションによる界面の親和性・接着性解析
8. 機械特性・熱物性評価（材料の“強さ・熱”を知る）
   • デジタル画像相関法を用いた実装基板内部の熱ひずみ測定
   • ナノインデンテーションによる物性マッピング
   • （新規）新規TDTR法による薄膜・微小部の熱伝導率測定
   • 物性値測定全般の受託サービス紹介
9. ガス・アウトガス・揮発成分分析（見えないリスクを捉える）
   • （新規）パッケージ材料のガス分析
   • TDSによる半導体材料からの加熱脱離ガス分析
   • フィルムの片面発生ガス分析
   • 耐熱性樹脂の高温加熱時アウトガス分析
   • 身近な梱包材からの硫黄化合物発生事例
10. 樹脂・有機材料の構造・劣化・硬化解析（劣化挙動を解き明かす）
    • 半導体封止用樹脂の熱硬化挙動解析
    • 赤外pMAIRS測定による薄膜の分子配向評価
    • AFM-IRによるナノ局所領域におけるポリマーの多次元相関イメージング
    • 樹脂の劣化メカニズム解析
    • 熱分析とMDシミュレーションによる樹脂熱硬化過程におけるフィラーの影響解析
11. サービス・ソリューション紹介（TRCの総合力）
    • 宇宙開発関連の高度分析支援サービスの開始
    • 超純水の管理―水質モニタリングと異常対応―
    • グローバル市場をサポートする東レリサーチセンターの高度分析サービス
    • 欧州現地での高精度化学分析サービス
    • 中国現地での高精度組成分析サービス
    • 機器分析から評価するデータセンター用バックアップ電源の「安全性」
    • 電子デバイス切り出しによる物性値実測（NTTデバイスクロステクノロジ株式会社との連携事例）

以上の各展示は、分析手法の適用範囲や感度、空間分解能、in-situ観察・3D解析などの技術的強みを示す事例で構成されています。来場者は研究者と直接対話することで、評価ニーズに合わせた最適な手法選定や測定条件の調整を相談できます。

参加方法・開催概要と注意事項

本イベントは事前登録制で、参加費は無料です。開催情報と申込み方法、注意事項は以下の通り整理されています。事前登録は必須であり、同業他社の参加は制限されています。

詳細な申込みは主催者が案内するオンラインの事前登録ページから行います。関連リンクとして、東レリサーチセンターの告知ページへのリンクが公開されています。

開催日時

2026年6月19日（金）13:00～17:00

開催会場

東京都大田区産業プラザ（PiO） 大ホール

参加費

無料（事前登録制）

参加申込み

詳細・事前登録（無料）はこちら

主催

株式会社東レリサーチセンター

プレス発表日時

2026年4月17日 14:00

注意事項として、繰り返し案内されているように、同業他社関係者の参加はご遠慮いただいています。事前登録が必要である点も複数個所で明記されていますので、参加を検討する場合は案内ページで手続きを確認してください。

問い合わせや登録に関する詳細は、上記のリンク先を参照してください。イベントは無料ですが、出席には事前の手続きが前提です。

要点の整理（展示・講演の特徴と登録情報）

本章では、記事で示した情報を分かりやすく表形式で整理します。イベントの主要事項、展示数、参加条件、講演テーマの要点をまとめました。下の表で開催概要や主要な注目点を再確認できます。

以上がイベントの要点です。本記事はプレスリリースの内容を忠実に整理・再構成したものであり、展示内容や講演要旨、開催概要は原文の情報に基づいています。参加希望者は事前登録ページで案内を確認し、参加条件や注意事項に従って手続きを行ってください。